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【講師】
三井物産戦略研究所　技術・イノベーション情報部
コンシューマーイノベーション室　室長
小川　玲奈（おがわ　れいな）　氏

【重点講義内容】
※VLSIシンポジウム2026現地調査をもとに最新内容を適宜追記致します。開催状況により内容を変更することがあります。

AIデータセンターの消費電力低減・高効率化の要求が、ロジック半導体の構造を変えようとしている。半導体トランジスタの微細化が限界を迎えつつあるなか、従来はウエハの表面にのみ形成されていた回路の一部を、ウエハの裏面に形成する裏面給電（Backside Power Delivery Network：BSPDN）がブレークスルー技術として有望である。
本講演では、ロジック半導体の構造の変遷からBSPDNの位置づけや製造プロセスの概要を解説した上で、2026年6月開催のVLSI裏面給電のセッションを踏まえた最新動向と、材料、製造装置、ソフトウェア等の関連企業にとっての事業機会を紹介する。

１．AIデータセンターとロジック半導体
２．ロジック半導体の課題
３．裏面給電（BSPDN）技術導入で期待される効果
４．BSPDN導入で変わる製造プロセス
５．BSPDN導入で生じる新たなニーズ
６．まとめ
７．質疑応答