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【講師】
三井物産戦略研究所　技術・イノベーション情報部
コンシューマーイノベーション室　室長
小川　玲奈（おがわ　れいな）　氏

【重点講義内容】
AIデータセンターの消費電力低減・高効率化の要求が、ロジック半導体の構造を変えようとしている。半導体トランジスタの微細化が限界を迎えつつあるなか、従来はウエハの表面にのみ形成されていた回路の一部を、ウエハの裏面に形成する裏面給電（Backside Power Delivery Network：BSPDN）の採用が、試行錯誤しながらも進展を見せている。2026年6月に開催された半導体製造プロセスに関するトップカンファレンスVLSIシンポジウムにおいても、裏面給電のセッションで主要半導体メーカーが開発の進展と課題を共有した。
本講演では、ロジック半導体の構造の変遷からBSPDNの位置づけや製造プロセスの概要を解説した上で、VLSIシンポジウムの裏面給電のセッションでの議論から推測される課題解決の方向性や、それを踏まえた材料、製造装置、ソフトウェア等の関連企業にとっての事業機会を紹介する。

１．AIデータセンターとロジック半導体
２．ロジック半導体の課題
３．裏面給電（BSPDN）技術導入で期待される効果
４．BSPDN導入で変わる製造プロセス
５．BSPDN導入で生じる新たなニーズ
６．まとめ
７．質疑応答