米マイクロン、広島工場でAI向け次世代メモリー新棟を着工・総額1.5兆円を投資

　マイクロン・テクノロジーが着手した新製造棟の建設は、子会社であるマイクロンメモリジャパンの広島工場内に約2万8000平方メートル規模のクリーンルームを新たに整備するものである。人工知能の急速な普及に伴い、データセンターなどで需要が急増している広帯域メモリー（HBM）や、極端紫外線（EUV）露光を用いた次世代DRAM「1γ（ガンマ）」世代などの先端半導体の生産能力拡大を目的としている。

　同社は2028年からの市場投入および本格出荷を目指して段階的に設備搬入などの工事を進め、2030年までにはウエハー換算で月産4万枚規模の生産体制を構築する計画である。 この総額約1兆5000億円に上る大規模投資に対し、経済産業省は設備投資の約3分の1にあたる最大5000億円と、省エネルギー化などに関する研究開発への最大360億円、合計で最大5360億円の補助を行うことを発表した。


　今回の決定を含めると、日本政府による同社への支援は累計で約7700億円規模に達する。同工場は原材料の約8割を国内から調達しているため、公的支援は単一の工場にとどまらず、シリコンウエハーや製造・検査装置、化学材料などを供給する周辺の国内サプライチェーン全体の活性化に波及する。

　また、地域における千人以上の新規雇用創出に加え、地域の大学や高等専門学校と連携した技術者育成プログラムの推進も見込まれている。 7月4日に同工場で開催された起工式には、マイクロンのサンジェイ・メロートラ最高経営責任者（CEO）のほか、岸田文雄元首相や赤沢亮正経済産業相らが出席した。

　メロートラCEOは、AI市場の劇的な拡大により極めて高度なメモリーに対する需要がかつてないほど増加している現状を強調した。式典後に工場内を視察した赤沢経産相は、日米の良好な連携を維持しながら同社の取り組みを継続的に支援し、経済安全保障の観点から両国の関係を深化させる方針を示している。日本政府は2030年度までにAIおよび半導体関連産業に対して10兆円超の公的支援を行う構想を掲げており、今回の拠点は国内における次世代メモリー供給網の要として戦略的に位置づけられている。