米商務省、核融合向けや縦型GaNなど4社に最大3億8,900万ドル 政府は少数株式を取得へ

　米商務省は22日（米国時間）、CHIPS・科学法に基づく研究開発（R&D）助成の対象として、4社と意向書を締結したと発表した。助成額は合計で最大3億8,900万ドル（約611億円）。電力の制御、変換、供給に使う半導体や、半導体のサプライチェーンに欠かせない材料の研究開発を支援するという。

　同省は、パワーエレクトロニクス（電力変換技術）を、送電網の近代化や重要なエネルギーインフラの基盤と位置づける。性能向上は電力効率や送電網の安定化につながるとしている。

　核融合発電を手がけるヘリオンには、最大1億7,500万ドル（約275億円）を助成する。核融合発電で使う、高いピーク電流のパルス電源向けの高耐圧パワー半導体とパワーモジュールを国内で開発・量産する。同社の核融合発電機の磁石を駆動、制御するために使う。

　コモンウェルス・フュージョン・システムズは最大8,500万ドル（約133億円）。高周波によるプラズマ加熱用の半導体、パワーエレクトロニクス、核融合の診断用の組み込み電子部品、耐放射線電子部品を開発する。

　バーティカル・セミコンダクターは最大7,300万ドル（約115億円）。縦型の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を進化させ、先端コンピューティング向けの電力供給を効率化、小型化する。出力2.5MWの「スーパーインテリジェンス」データセンター向けラックを、世界で初めて実証するという。

　シベルコは最大5,600万ドル（約88億円）。結晶成長用のるつぼなどに使う超高純度石英の、次世代の精製・仕上げ技術を開発する。

　条件として、同省は各社の議決権のない非支配の少数株式を取得する。納税者への還元を高めるのが目的だとしている。

　ハワード・ラトニック米商務長官は「トランプ政権は、国内のエネルギーと電力資源を強化するため、米国の半導体イノベーションを加速させている」とコメント。同省のビル・フラウエンホーファー氏（半導体投資・イノベーション担当）は「国内のR&Dを加速させることは、送電網や先端データセンター、防衛システム、新興の核融合エネルギーに向けて電力を変換・供給する米国の力を強める」と述べた。

　今回は意向書の段階で、各社は最終的な助成の下で研究開発に取り組む。