Intelが高NA EUV露光装置を用いたロジック半導体の量産出荷を開始

　ASMLの発表によると、高NA EUV露光装置による量産出荷が開始されたのは、Intelが2026年1月に正式発表した「Intel Core Ultra Series 3」（コードネーム：Panther Lake）プロセッサの一部製品である。同製品群では、先端プロセスノードである「Intel 18A」が採用されており、特定のレイヤーの露光に高NA EUV露光技術が適用されている。

　米国オレゴン州の製造拠点において、Intel 18Aの特定レイヤーに対する高NA EUVのデュアル認定が完了しており、従来のNXEプラットフォームを用いた場合と同等の歩留まりを達成し、製品が顧客へ出荷されている。今回の発表により、Intelは高NA EUVを用いて大量生産されたロジックチップを出荷した最初の企業となった。


　IntelとASMLは、今回の量産適用を通じて装置のセットアップ状況や稼働率、実際の製造フローに関する各種データを収集し、高NA EUV技術のより広範な半導体製造への適用拡大に向けた技術協力を行う。Intel FoundryのNaga Chandrasekaranエグゼクティブバイスプレジデントは、今回の量産出荷について、両社の緊密な技術協力を通じて高NA EUVを先端半導体製造へ大規模に統合できることを示した成果であると強調した。

　さらに、Intel 18Aの一部レイヤーで同技術の認定を完了したことで、既存の露光装置群によるスループット向上を図りつつ、今後の次世代プロセスノードに向けて性能向上やトランジスタ密度の増加、製造における柔軟性をさらに高めるための選択肢を開発することが可能になるとしている。

　ASMLのChristophe Fouquet社長兼CEOは、解像度の向上と優れたプロセス制御をもたらす高NA EUVが半導体リソグラフィー技術における大きな進歩であると位置づけ、AIをはじめとする次世代技術の発展を加速する微細で高密度なパターン形成を可能にする技術であると意義を語った。Intelはこれまで、高NA EUV技術の導入において先行して投資を行ってきた。2024年に米国オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点へ、ASMLの高NA EUV露光装置プロトタイプである「TWINSCAN EXE:5000」を業界で初めて導入している。

　その後、2025年には1時間当たり175枚以上のウエハー処理能力を持ち、プロトタイプと比較して約60％の生産性向上を実現した量産機「TWINSCAN EXE:5200B」を受け入れ、試験を完了させている。これらの段階的な技術導入と検証を経て、今回のIntel Foundryによる業界初となる高NA EUVを用いたロジック製品の量産出荷というマイルストーンに到達した。