Rapidusの2nm半導体量産計画に遅れ SRAM開発難航で資金調達に影響も

SRAM開発の遅延報道とRapidusの技術的現在地

　次世代半導体の国産化を目指すRapidusにおいて、2ナノメートル世代の半導体量産に向けた重要技術の開発スケジュールに遅れが生じていると一部メディアが報じた。報道によると、半導体開発における重要なマイルストーンであるSRAMセルの正常な動作実証がまだ完了していない。当初は2026年の夏までにこの動作確認を終える予定であったが、現時点で達成できておらず、開発スケジュールは数カ月の遅れをとっているとされる。

　SRAMはスタティックランダムアクセスメモリの略称であり、CPUやAI向け半導体などの高性能プロセッサに搭載される高速なキャッシュメモリとして機能する。現代の最先端ロジック半導体においては必須の構成要素である。Rapidusが採用しているGAAと呼ばれる全周ゲート構造のトランジスタ技術では、回路の微細化に伴いSRAMセルの面積を極小化しつつ、電気的な動作を安定させなければならない。これは技術的な難易度が極めて高く、大量のSRAMセルを安定して製造できなければ、プロセス全体の成熟度が不足しているとみなされる。報道ではSRAMの問題に加え、クリーンルーム内における粉塵や微粒子の管理も課題として浮上していると指摘されている。

　これらの技術的な課題により、2027年度後半に設定されている量産開始時期を1年程度延期し、2028年度にずれ込ませる案が検討されているとの報道も一部でなされた。これに対しRapidusの広報担当者は、引き続き2027年度後半の量産開始に向けて全力で取り組んでいるとコメントしている。技術開発の詳細な進捗状況については機密情報を理由に公式な発表は行われていない。量産開始の目標時期について公式な変更は現時点では発表されていない。

　Rapidusは2025年7月に試作ラインでトランジスタの動作確認に成功したことを公表している。しかしそれ以降は設計用のツールであるプロセスキットのリリースなどが主な進捗報告にとどまっている。半導体製造においてトランジスタ単体が動作することと、複雑な回路を集積して高い良品率で量産できることの間には大きな技術的隔たりが存在する。このSRAM開発の難航という事実は、単なる開発スケジュールの問題にとどまらない。次ページでは、この技術的な遅延がRapidusの経営基盤を支える巨額の資金計画にどのような波及効果をもたらすのか、その構造的な影響を解き明かしていく。