サムスン電子とSKハイニックス、メモリ不足解消へ総額800兆ウォンの設備投資を発表

　韓国政府が6月29日に発表した「3大メガプロジェクト」の中核は、湖南地方における新たな半導体クラスターの構築である。サムスン電子とSKハイニックスの2社が総額800兆ウォンを投資し、最先端の半導体製造工場を計4棟建設する。サムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）会長は、工場建設の候補地としてインフラ支援を見込む光州市を挙げた。さらに忠清地方に81兆ウォン規模のパッケージング拠点を開設し、2029年までに550兆ウォンを投じてAIデータセンター網を全土で拡充する。


　サムスン電子とSKハイニックスはAI向けGPUに不可欠なHBM市場の約80％を占有する。両社は新拠点での生産拡充を通じて、世界的なメモリ需要に対応する体制を整える。

　今回の投資は、生成AIの普及とデータセンター建設ラッシュに伴うメモリ半導体の供給不足に対応する。高帯域幅メモリ（HBM）や最先端のDRAM、NANDフラッシュの需要が既存の供給能力を上回る。

　需要増加と価格高騰を背景とした法的な動きも表面化している。米カリフォルニア州の連邦裁判所において、消費者および中小企業グループが、サムスン電子、SKハイニックス、米マイクロン・テクノロジーのメモリ大手3社に対し、人為的な供給制限と価格操作を主張する反トラスト法（独占禁止法）違反の集団訴訟を提起した。

　湖南地方のクラスター開発は、政府主導のトップダウン形式で策定された。同地域は電力や水資源の確保において有利な条件を備える反面、大規模な浄化設備や供給網などインフラの新規建設が課題となる。韓国政府は関連する許認可手続きを簡素化し、工場の稼働開始までの期間を最長で12年短縮する行政支援を実施するという。