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  • 2026/10/13 00:31 掲載

米エヌビディアとシスコ、光トランシーバの新規格「USFP」発表 400Gb/s対応で電力抑制

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米エヌビディアと米シスコは10月12日、AIデータセンター向けの新しい光トランシーバ規格「USFP」を発表した。1レーンあたり400Gb/sの電気信号に対応する着脱式モジュールで、200Gb/s/レーン品と比べて帯域密度は4倍、電力効率は約1.3倍という。TE Connectivityなどと供給網を築き、オープン仕様化も計画する。
米エヌビディアとシスコ、光トランシーバの新規格「USFP」発表 400Gb/s対応で電力抑制の画像
USFPの光モジュール
(出典:エヌビディア)
 米エヌビディアと米シスコは10月12日(時刻不明)、AIデータセンター向けの新しい光トランシーバ(光モジュール)の規格「USFP(Ultra-Dense Small Form Factor Pluggable)」を発表した。

 1レーンあたり400Gb/sの電気信号に対応する初のモジュールを目指す、高密度の着脱式(プラガブル)光モジュールという。AIモデルの大規模化や推論需要の拡大で、データセンターではより多くのコンピューティング機器をつなぐ必要が生じている。スイッチの容量が上限に達すると、スイッチの階層や光リンクを増やすことになり、遅延、消費電力、コストが膨らむ。USFPはそれを避ける狙いで設計したとしている。

 最初に計画するUSFPのモジュールは、OSFP(オクタル・スモール・フォームファクタ・プラガブル)と同じ大きさの筐体に、全二重16レーンを収める。スイッチとSuperNICの両方に使え、全体で12.8Tb/sの容量を実現できるという。将来は32レーン以上への拡張も見込む。

 200Gb/s/レーンの着脱式モジュールと比べると、帯域とフロントパネルの帯域密度は4倍、電力効率は約1.3倍になる。同じネットワークの設置面積のままAIの規模を広げつつ、AI工場の電力予算に占めるネットワークの割合を減らせるという。新しい2次元アレイコネクタを採用し、2段階の挿入方式で接点の摩耗を抑える。モジュール内に専用の冷却回路を設けなくても、最大100ワットの消費電力に対応できるとしている。

 両社はTE ConnectivityおよびAmphenolと、USFPのケージ、コネクタ、モジュールを開発する。今後、ほかのパートナーも加わる見通し。あわせて、コミュニティー主導のマルチソースプロジェクトを通じて、USFPのオープンな業界仕様をつくる計画も明らかにした。既存の協業を土台にするという。

 エヌビディアのギラッド・シャイナー上級副社長は「世界最大のAI工場づくりは、最も小さな接続を見直すことから始まる」と述べた。シスコのビル・ガートナー上級副社長(光システム・光学部門担当)は「シリコンやシステムから光、ネットワークOSまでを一体で最適化する」と説明した。製品の出荷時期や価格は、発表では示されていない。


 では、エヌビディアはなぜ今、光通信の別の有力技術を持ちながら、着脱式の新規格を自ら立ち上げたのか。背景には、同じ400Gb/s/レーンを狙う半導体各社の先行例と、エヌビディア自身がすでに公表している電力の数字がある。

画像
400Gb/s/レーン光モジュール、各社の動き
(出典:各社発表、報道をもとに作成)
この記事の続き >>
・400Gb/s/レーン競争の先頭走者は誰か、各社の動き
・エヌビディア自身が示した「電力3.5分の1」の技術との関係
・新規格の製品化を左右する、2027~2028年の時間軸

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