サムスン、高帯域メモリー「ＨＢＭ４」出荷開始　ＡＩで巻き返し狙う

Hyunjoo Jin

[ソウル １２日 ロイター] - サムスン電子は１２日、最新の高帯域メモリー「ＨＢＭ４」の出荷を開始したと発表した。顧客名は明らかにしていない。

競合他社に遅れを取っていたＡＩ（人工知能）向け半導体市場で巻き返しを狙う。

ＨＢＭは複雑なＡＩアプリケーションが生成する膨大なデータの処理を支援するＤＲＡＭの一種。世界的なＡＩデータセンターの建設ラッシュを背景に需要が急増している。

メモリー半導体で世界首位のサムスンだが、先端ＡＩ半導体市場への対応では出遅れており、前世代のＨＢＭ供給で競合他社の後塵を拝していた。

サムスンによると、同社のＨＢＭ４は毎秒１１．７ギガビット（Ｇｂｐｓ）の安定した処理速度を実現。前世代の「ＨＢＭ３Ｅ」から処理速度が２２％向上した。最大速度は１３Ｇｂｐｓに達し、増大するデータのボトルネック解消に寄与するという。

同社は今年後半に次世代の「ＨＢＭ４Ｅ」のサンプル出荷を開始する計画も明らかにした。