ルネサス、ＳｉＣパワー半導体投資を開始　25年に量産化

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［東京　１９日　ロイター］ - ルネサスエレクトロニクスは１９日、年内にも炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体への投資を開始し、２０２５年の量産化を目指すことを明らかにした。制御用半導体のパワー半導体市場における存在感を高める。

同社は、昨年１１月にＳｉＣパワー半導体市場への参入を公にしたが、今回初めて投資戦略を明確にした。まずは、高崎工場（群馬県高崎市）で立ち上げる。電気自動車（ＥＶ）の普及に伴い、省エネ性能に優れたＳｉＣパワー半導体の需要は今後の伸びが見込まれている。経済産業省によると、ＳｉＣパワー半導体市場は２１年の１４００億円から３０年には約３．４兆円まで拡大する見通し。ロームが世界シェアで４位に位置するが、三菱電機なども増産を進めている。

ルネサスは、現行のＥＶで一般的なシリコン（Ｓｉ）製のＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）などのパワー半導体でも、積極投資を進めている。２４年には、閉鎖していた甲府工場（山梨県甲斐市）を再稼働し生産能力を増強する。

柴田英利社長はこの日の投資家向け説明会で、ＩＧＢＴなどの供給で他社に対して出遅れているが、「顧客からものすごい強い引き合いがあり、（参入により）シェアを取っていける余地は十分にある」との見解を示した。その上で「ＩＧＢＴとＳｉＣともにぐっと伸ばす計画でいる」と述べた。

柴田社長は株主還元についても発言し、現在無配の配当金について「できる限り速やかに始めたい」と改めて強調、「遠くない将来にアナウンスできるよう準備を進める」と語った。Ｍ＆Ａ（企業の買収・合併）は、ソフトウェアやデジタルなどの分野を中心に検討していく。

（浦中美穂　編集：内田慎一）