２ナノ半導体の試作に成功＝報道陣に公開、量産へ節目―ラピダス

次世代半導体の国産化を目指すラピダス（東京）は１８日、回路線幅２ナノメートル（ナノは１０億分の１）の半導体の試作に成功したと発表した。工場のある北海道千歳市内で、報道陣に試作品を公開した。小池淳義社長は記者会見し、目標とする２０２７年までの量産に向け「大きなマイルストーン（節目）を越えた」と述べた。

試作したのは、電流を制御する「トランジスタ」という部品。小池氏は成功を「考えられないスピードだ」と評価した上で、「（顧客に）期待を持っていただけると確信している」と語った。同席した鈴木直道北海道知事は「きょうが歴史の大きな１ページになる」と強調した。

【時事通信社】 〔写真説明〕次世代半導体の試作品について記者会見するラピダスの小池淳義社長＝１８日、北海道千歳市 〔写真説明〕ラピダスが公開した最先端半導体の試作品＝１８日、北海道千歳市 〔写真説明〕次世代半導体の試作品を披露した（左から）ラピダスの東哲郎会長、小池淳義社長、鈴木直道北海道知事、横田隆一千歳市長＝１８日、北海道千歳市 〔写真説明〕報道陣に公開されたラピダスの最先端半導体工場＝１８日、北海道千歳市