ビシェイ、AEC-Q101準拠 Pチャネル 80V TrenchFET MOSFETを発表

　ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治）は本日、世界最高クラスのAEC-Q101準拠 Pチャネル 80V TrenchFET(R)MOSFETを発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSQJA81EP（ https://www.vishay.com/ppg?77266 ）は、他のPチャネル 80Vデバイスと比べてオン抵抗が最も低く、電力密度と効率性を向上し、車載アプリケーションに最適です。SQJA81EPはガルウィングリード付きの小型 5.13mmx6.15mmPowerPAK(R)SO-8Lシングルパッケージで提供され、10Vで最小17.3mΩ/標準14.3mΩのオン抵抗を提供します。

　本日リリースされた車載グレードMOSFETは、DPAKパッケージに収められた最も近い競合製品と比べてオン抵抗は28%低く、実装面積も50%削減されています。また、前世代ソリューションと比べてオン抵抗は31%低くなっています。SQJA81EPの低オン抵抗は導通時の電力損失を抑えることで省エネに貢献し、高出力により電力密度を向上します。10Vで52nCの優れたゲート電荷はゲートドライブでの損失を軽減し、最高クラスのゲート電荷とオン抵抗の積（電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM）を実現します。

　＋175℃までの高温動作を提供するこのデバイスは、逆極性保護、バッテリー管理、ハイサイドロードスイッチング、LED照明などの車載アプリケーションが必要とする堅牢さと信頼性を提供します。また、SQJA81EPのガルウィングリードは自動光学検査（AOI）でのはんだ認識率を向上させ、機械的ストレスを緩和することで基板レベルの信頼性を高めています。

　デバイスの80V定格は、12V、24V、48Vシステムなど、幅広く使用される入力電圧レールに対応する安全マージンを提供します。向上した電力密度は並列で使用される部品数を減らすことで、システムのPCBスペースを節約します。また、SQJA81EPはPチャネルデバイスとして、対のNチャネル部品が必要とするチャージポンプを不要とする簡素化されたゲートドライブ設計を実現します。MOSFETは全数RgおよびUIS試験済、RoHSに準拠する鉛フリーのハロゲンフリー品です。

　サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は14週間です。

■ビシェイ・インターテクノロジー社について

　ビシェイ・インターテクノロジー社は、世界最大のディスクリート半導体および受動電子部品ポートフォリオのメーカーです。同社の部品は、自動車、産業、コンピューティング、テレコミュニケーション、航空宇宙、医療における革新的なデザインに採用されています。The DNA of tech(TM)のビシェイ社はニューヨーク株式市場上場(VSH)のフォーチュン1000企業で、世界各国のお客様を支援します。ビシェイ社のホームページは https://www.vishay.com/

　「The DNA of tech(TM)」はビシェイ社、TrenchFET」と「PowerPAK」はSiliconixの登録商標です。