三菱電機とデンソー、米ＳｉＣ基板メーカーに出資＝半導体部材確保へ各７５０億円

三菱電機とデンソーは１０日、次世代パワー半導体の事業拡大を見込み、材料となるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を製造する米国企業へそれぞれ５億ドル（約７５０億円）を出資すると発表した。ＳｉＣパワー半導体は電気自動車（ＥＶ）分野での活用が見込まれており、基板の調達安定化を図る。