- 2022/06/17 掲載
台湾TSMC、24年にASMLの最先端露光装置を調達=幹部
研究開発担当上級バイスプレジデントのY.J. Mii氏は、より多くの光を取り込める高開口数(NA)のEUV(極端紫外線)露光装置を24年に調達し、顧客の技術革新に必要なパターン形成を開発すると述べた。TSMCが米シリコンバレーで開いた技術シンポジウムで語った。
EUVは半導体の小型化と処理高速化を可能にする技術で、Mii氏が言及したのは第2世代のEUV露光装置。半導体の量産に同装置を用いる時期には触れなかった。競合する米インテルは25年までに同装置を生産で用いると明らかにしており、同装置の納入を受けるのは同社が最初になるとしている。
別のTSMC幹部、Kevin Zhang氏は、24年時点では高NA・EUV装置を生産に用いる準備はできていない見込みだが、提携企業との研究用途におおむね使われることになると述べた。
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