キヤノンは、半導体露光装置の新製品として、化合物半導体などのデバイス製造に対応し、半導体製造に必要な総コストの指標であるCoOを低減したi線（※1）ステッパー"FPA-3030i5a"を2021年3月上旬に発売します。

新製品は8インチ以下の小型基板向け半導体露光装置で、シリコンだけではなく、SiC（シリコンカーバイト）やGaN（ガリウムナイトライド）などの化合物半導体のウエハーに対応することで、多様な半導体デバイス製造が可能です。これにより、今後需要が見込まれる車載向けパワーデバイスや5G対応の通信デバイスなどの半導体デバイス製造に対応します。また、従来機種「FPA-3030i5+」（2012年6月発売）から、ハードウエアとソフトウエアを刷新し、CoOを低減しています。

■さまざまなウエハーに対応することで多様な半導体デバイス製造が可能

サイズが直径2インチ（50mm）から直径8インチ（200mm）までの化合物半導体など多様なウエハーに対応可能な搬送システムを採用しています。さらに、投影レンズを通さずにアライメントマークを計測する新アライメントスコープの採用により、幅広い波長でのアライメント計測が可能です。裏面アライメント（TSA:Through Si Alignment)もオプションとして選ぶことができ、さまざまな顧客の製造プロセスに対応します。また、従来機種の解像力を継承し、0.35マイクロメートル（※2）の線幅パターンの露光が可能です。これらの機能の搭載により、SiCなどの化合物半導体を含む幅広いウエハー素材で、パワーデバイスや通信デバイスの製造が可能です。

■ハードウエアとソフトウエア刷新によるCoOの低減

アライメントマークの計測時間を短縮した新アライメントスコープや高速化した搬送システムなどのハードウエアの採用と、ソフトウエアの刷新により、従来機種と比べ生産性が約17%向上しました。8インチ（200mm）のウエハーにおいて123wph（Wafers per hour）のウエハー処理が可能です。また、露光装置内を一定環境に保つチャンバーの温度制御方式を変更したことで、消費電力を従来機種から約20%削減しました。これらの改善により、CoOの低減を求めるユーザーのニーズに応えます。

※1 i線（水銀ランプ波長365nm）の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10億分の1メートル。

※2 1マイクロメートルは、100万分の1メートル（=1000分の1mm）。